“中华人民共和国陕西省与白俄罗斯共和国教育部高技术合作研究中心”成立于2005年10月，中方机构在bv伟德国际体育官方网站设立常设机构。由bv伟德国际体育官方网站，负责人员召集、合作项目的日常管理与组织设施、信息交流及其它必要活动等。
通过技术高技术合作研究中心加强中华人民共和国陕西省和白俄罗斯共和国明斯克市的科技合作与交流，促进双方在先进的高技术研究课题领域进行合作研究、在设备、项目、科技信息等方面进行深层次的研究、交流、开发合作。
合作项目和开放项目是提升学科梯队建设水平的重要途径。通过国际科技合作项目、外国专家人才引进项目以及国内企事业单位联合研究项目，与国外同行保持密切联系，开拓了团队建设的视野，提升了团队建设水平。
“超光滑光学表面的先进制造技术研究”项目是依托“高技术合作研究中心”申请并获批准的科技部对外合作项目。本项合作针对强激光光学元件、激光陀螺反射镜、信息记录基体等急需的平面、球面、非球面超光滑光学表面的制造，开展等离子体抛光技术研究，内容涉及等离子体抛光技术的三个主要方面：等离子体抛光装置、等离子体抛光机理与超光滑光学表面抛光工艺技术。
通过国际合作，借鉴国外先进经验，开展适于等离子体抛光的等离子体源设计、制造、调试与应用研究，这是本项合作研究的关键之一。重点研究射频等离子体源的工作特性、等离子体流控制等关键技术。
实验室与白俄罗斯无线电信息大学的薄膜实验室有着良好的科研合作关系。自1999年以来，先后有白俄罗斯比库尔院士、达斯坦克院士和白俄罗斯多名专家，多次来我实验室进行访问。实验室取得了一系列合作科研成果。近年来取得的主要成果有：
白俄罗斯院士达斯坦克教授获陕西省2006年度三秦友谊奖。
由于中白科技合作取得良好的效果，获得2005年科技部85万元中白合作科研经费资助开展光学元件的等离子体抛光技术研究。
2007年获得科技部140万元中白合作科研经费支持激光薄膜及检测技术研究。
附：中白合作交流备忘录
1990年，白俄罗斯国立信息电子大学皮库尔教授来西电讲学时，与我实验室老师初次接触。双方愿意就离子束技术方面开展科研合作。
1995年3-6月，皮库尔教授第一次来公司开展科研合作，共同研制“脉冲电弧离子源”取得成功。同年4月，国家专家局武副局长于杨副司长在陕西省人才引进办侯处长陪同下，来公司视察工作。
1996年，白俄罗斯国立信息电子大学董事长B.M.伊里固来公司访问。
1997年3月，皮库尔教授第二次来实验室合作科研，在改装的设备上研制类金刚石薄膜。
1998年，公司依据合作科研基础，向国防科工委申报了对俄引进项目，获得批准。同年向国家科委申报国际科技合作项目获批。
1998年5月，获得资助的公司组团前往白俄罗斯进行技术考察。严文副经理（团长）、严一心教授、刘卫国教授和谢斌翻译同行。决定引进两台相关设备。
1998年8月，西工院教师权贵秦、刘卫国、强西林与新时代公司代表去白俄罗斯签订购买设备合同。
1999年4月，西工院教师黄献松、弥谦、杭凌侠、刘改玲（翻译）去白俄罗斯验收设备和技术培训。
1999年12月，皮库尔教授与基玛博士在一台引进的设备上，合作研制类金刚石红外增透膜。
1999年10月，第一台设备运抵实验室。同年11月23日，伊戈里等三名专家来实验室安装调试设备。
2001年10月，第二台设备运抵实验室，同年11月13日三名外方专家来安装调试设备。
2001年11月28日，白俄罗斯无线电信息大学薄膜技术实验室主任伊格博士与格拉索夫博士来实验室进行为期一个月的中空离子源的研究工作。
2001年12月，对俄引进项目通过兵科院专家组验收。
2003年10月，公司邀请白俄罗斯著名院士达斯坦科教授来公司进行讲学与合作科研，伊格博士陪同一起来实验室工作，进行End-霍尔离子源的研究工作。
2003年11月，公司正式聘请达斯坦科院士为公司兼职教授。
2004年6月18日-30日，西工院副董事长刘卫国与苏俊宏、朱昌、杨增根（翻译）等人到白俄罗斯进行科技考察。
2004年6月25日，白俄罗斯热能质量研究所和西安工业学院双方签署了合作意向书。
2004年6月29日，白俄罗斯国立信息与无线电电子大学和西安工业学院双方签署了合作协议书。
2004年10月，已成为白俄罗斯共和国教育部科技司副司长的伊格博士与白俄罗斯无线电信息大学薄膜技术实验室主任格拉索夫博士再次来实验室进行为期一个月的合作科研。研制双束离子源。
2005年10月，白俄罗斯无线电信息大学薄膜技术实验室伊格博士、格拉索夫博士，双束离子源制备类金刚石薄膜工艺研究。
2006年10月，白俄罗斯无线电信息大学薄膜技术实验室伊格博士、格拉索夫博士，离子束清洗源的研制。
2007年10月，白俄罗斯无线电信息大学薄膜技术实验室格拉索夫博士、谢尔盖博士，离子束溅射源的研制。
2008年10月，白俄罗斯无线电信息大学薄膜技术实验室格拉索夫博士、谢尔盖博士，磁控溅射源研制。
2009年10月，白俄罗斯无线电信息大学薄膜技术实验室格拉索夫博士开展反应磁控溅射制备氧化硅、氧化锆薄膜工艺研究工作。
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